形成导电铜结构的阻障层的方法

摘要

本文涉及形成导电铜结构的阻障层的方法，所揭露的一种例示性方法包括：在绝缘材料层中形成凹槽/贯孔；在至少该凹槽/贯孔中形成阻障层；于形成该阻障层之后，进行至少一项制程作业以将锰引进该阻障层中并且借此界定含锰阻障层；在该含锰阻障层之上形成实质纯铜基晶种层；在该铜基晶种层之上沉积主体铜基材料以便过量填充(overfill)凹槽/贯孔；以及移除位于该凹槽/贯孔外侧的过剩材料借此界定铜基导电结构。

主权项

一种方法，包含：在绝缘材料层中形成凹槽/贯孔；在至少该凹槽/贯孔中形成阻障层；在形成该阻障层后，进行至少一道制程作业，以将锰引进该阻障层中，并借此界定含锰阻障层；在该含锰阻障层之上形成实质纯铜基晶种层；在该实质纯铜基晶种层之上沉积主体铜基材料，以便过量填充该凹槽/贯孔；以及移除位于该凹槽/贯孔外侧的过剩材料，以借此界定铜基导电结构。