| 发明名称 | 形成半导体结构的方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成半导体结构的方法和半导体器件，该方法可以包括在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模。利用光刻掩模，在硅鳍中穿过硬掩模层可以形成沟槽，沟槽在第二方向上延伸以将硅鳍分离成在第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构。相对于沟槽的由第一和第二鳍结构限定的下部，可以将沟槽的由硬掩模层形成的部分加宽。 | ||
| 申请公布号 | CN104051270A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201410069205.5 | 申请日期 | 2014.02.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金成玟;姜智秀;李东奎;车东镐 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 一种形成半导体结构的方法，包括：在其上具有硬掩模层的在第一方向上延伸的硅鳍上形成光刻掩模；利用所述光刻掩模，在所述硅鳍中形成穿过所述硬掩模层的沟槽，所述沟槽在第二方向上延伸以将所述硅鳍分离成在所述第一方向上端部对端部地延伸的第一和第二鳍结构；以及相对于所述沟槽的由所述第一和第二鳍结构限定的下部，加宽所述沟槽的由所述硬掩模层形成的部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||