发明名称 | 升压电路 | ||
摘要 | 本发明提供升压电路,其能够防止与升压电路连接的周边电路的误动作。该升压电路的特征在于,具有:第一放电电路,其在升压部停止了升压动作时,对第一输出端子的电压进行放电;以及第二放电电路,其对第二输出端子的电压进行放电,当第二输出端子的电压与第一输出端子的电压之间电压差为规定电压以下时,第二放电电路放电至第一输出端子的电位。 | ||
申请公布号 | CN101814831B | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
申请号 | CN201010119515.5 | 申请日期 | 2010.02.20 |
申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 大谷绫香;冈智博 |
分类号 | H02M3/10(2006.01)I | 主分类号 | H02M3/10(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 黄纶伟 |
主权项 | 一种升压电路,其对输入的电源电压进行升压并输出,其特征在于,该升压电路具有:升压部,其输出第一升压电压和比所述第一升压电压高的第二升压电压;第一输出端子,其输出所述第一升压电压;第二输出端子,其输出所述第二升压电压;第一放电电路,其在所述升压部停止了升压动作后,对所述第一输出端子的电压进行放电;以及第二放电电路,其在所述升压部停止了升压动作后,对所述第二输出端子的电压进行放电,当所述第二输出端子的电压与所述第一输出端子的电压之间的电压差为规定电压以下时,所述第二放电电路放电至所述第一输出端子的电位,所述升压电路还具有输入控制信号的控制端子,所述第二放电电路具有:耗尽型NMOS晶体管,其源极与所述第一输出端子连接,漏极与所述第二输出端子连接,栅极与所述控制端子连接,背栅与接地端子连接;增强型PMOS晶体管,其源极以及背栅与所述第二输出端子连接,栅极与所述第一输出端子连接;以及增强型NMOS晶体管,其源极以及背栅与规定电位连接,漏极与所述增强型PMOS晶体管的漏极连接,栅极与所述控制端子连接,所述规定电压为所述增强型PMOS晶体管的阈值电压的绝对值。 | ||
地址 | 日本千叶县 |