发明名称 结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统及方法
摘要 本发明涉及一种结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统及方法,利用了微控制器芯片和FPGA实现对被测SRAM的状态控制,使被测SRAM既可工作在地址固定的单地址测试状态,又可工作在全地址扫描的全地址测试状态,同时满足捕获数据瞬时变化波形和回读所有地址单元数据的测试需求,能够给出存储单元数据辐射瞬时的扰动波形数据、整个SRAM翻转单元数量及其逻辑地址分布。本发明支持8位宽、16位宽和32位宽SRAM的测试,提供5V内可自定义电压等级驱动,能够满足不同位宽、容量、电压等级的各种SRAM的测试要求。
申请公布号 CN104051026A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201410256111.9 申请日期 2014.06.09
申请人 西北核技术研究所 发明人 齐超;郭晓强;林东生;王桂珍;陈伟;扬善潮;李瑞宾;白小燕
分类号 G11C29/56(2006.01)I 主分类号 G11C29/56(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 一种结合全地址和单地址的SRAM瞬时剂量率效应测试系统,其特征在于包括上位计算机(1)、测试板(2)、示波器(3)、稳压电源(4)、辐照板(5);上位计算机(1)通过USB连接线连接测试板(2),测试板通过长屏蔽排线(2)连接辐照板(5);辐照板(5)的输出通过长同轴屏蔽电缆连接示波器(3),稳压电源(4)通过长同轴屏蔽电缆连接辐照板(5);所述上位计算机、测试板和示波器置于屏蔽测试间内;所述辐照板(5)置于辐照间。
地址 710024 陕西省西安市灞桥区平峪路28号