具有缓冲层的电阻式存储结构

摘要

本发明公开了一种存储器装置，包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。存储元件包括一种以上的金属氧化合物。缓冲层至少包括一氧化物或一氮化物。于另一实施例中，存储装置包括第一电极与第二电极以及介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储元件与缓冲层。缓冲层具有一小于50埃的厚度。存储装置包括一或多种金属的氧化合物。制造存储装置方法的实施例包括形成第一电极与第二电极，形成介于第一与第二电极间并与其电性耦接的存储器，该存储器包括一或多种金属的氧化合物，缓冲层包括至少一氧化物或一氮化物。

主权项

一种电阻式存储器装置，其特征在于，包括：一第一电极与一第二电极，该第一电极连接有一铝铜堆栈，该铝铜堆栈在该第一电极的下方；以及一存储元件与一缓冲层，介于该第一电极与该第二电极之间，并与该第一电极以及该第二电极电性耦接，该存储元件包括一种或以上的金属氧化合物，该缓冲层至少包括氧化物或氮化物之一，且该缓冲层具有一介于10¹³至10¹⁶欧姆‑厘米间的电阻率；其中，第一电极与第二电极排列的部分则于其间定义了存储单元区域，存储元件层位于该存储单元区域的部份组成了与第一电极以及第二电极电性耦接的该存储元件；该存储元件至少包括一种下列物质：钨的氧化物WO_x、二氧化铜CuO₂、五氧化二钽Ta₂O₅、三氧化二铝Al₂O₃、三氧化二铁Fe₂O₃、二氧化铪HfO₂、钛酸锶SrTiO₃、锆酸锶SrZrO₃、钛酸锶钡(BaSr)TiO₃、锗钛GeTi、锡锰碲SnMnTe、锑碲SbTe、锰酸的钙镨化物Pr_1‑xCa_xMnO₃、含银离子或亚铜离子的碲‑铜/钆氧化物或锗锑Te‑Cu/GdO_X，GeSb with Ag+or Cu+。