一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本发明提供了一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法，相应的CMOS图像传感器包括高反射率薄膜和两层金属连线，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部。相应的方法包括在硅衬底材料上将As或P离子植入衬底材料形成N型光电二极管；光电二极管之间的衬底材料采用腐蚀工艺蚀刻开并填充形成浅沟槽绝缘；在衬底表面逐层淀积介质层和金属层，复合层作为金属的介质层；将光电二极管表面的介质材料腐蚀，形成凹槽侧壁及凹槽状，在凹槽侧壁及凹槽外部介质上表面形成一层高反射率薄膜；在凹槽中淀积彩色滤光片材料并在其上制作微透镜。本发明避免了入射光在金属间反射而造成的串扰，缩短了入射光到达像素表面的距离。

主权项

一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：在硅衬底材料上通过预定的集成电路制造工艺将As或P离子植入衬底材料形成N型光电二极管；相邻的光电二极管之间的衬底材料采用腐蚀工艺蚀刻开并用SiO₂材料填充形成浅沟槽绝缘；在衬底表面逐层淀积介质层和金属层，在衬底材料表面淀积一层Si₃N₄作为阻止层和防反射层；采用预定工艺制成金属一和金属二，将所述Si₃N₄和SiO₂构成的复合层作为金属层一的介质层，将掺有硼和磷的SiO₂作为金属层二的介质层；将光电二极管表面的介质材料腐蚀至所述Si₃N₄上表面，形成凹槽侧壁及凹槽状，在所述凹槽侧壁及凹槽外部介质上表面形成一层高反射率薄膜；在所述凹槽中淀积彩色滤光片材料并在彩色滤光片材料上面制作微透镜。