| 发明名称 | 发光装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种发光装置，包括基板、多个半导体发光元件以及波长转换层。所述多个半导体发光元件设置于所述基板上。所述波长转换层覆盖所述多个半导体发光元件，对从所述多个半导体发光元件放射出的光的波长进行转换。所述多个半导体发光元件中的相邻的两个所述半导体发光元件之间的第1区域内所述波长转换层的上表面与所述基板之间的第1距离，短于所述相邻的两个所述半导体发光元件上的第2区域内所述波长转换层的上表面与所述基板之间的第2距离。本实用新型的实施方式提供一种提高了可靠性的发光装置。 | ||
| 申请公布号 | CN203836646U | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201420125850.X | 申请日期 | 2014.03.19 |
| 申请人 | 东芝照明技术株式会社 | 发明人 | 田中裕隆;西村洁;下川一生;佐佐木阳光;羽布津章义 |
| 分类号 | F21S2/00(2006.01)I;F21V29/00(2006.01)I;F21Y101/02(2006.01)N | 主分类号 | F21S2/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 臧建明 |
| 主权项 | 一种发光装置，其特征在于包括：基板；多个半导体发光元件，设置于所述基板上；以及波长转换层，覆盖所述多个半导体发光元件，对从所述多个半导体发光元件放射出的光的波长进行转换；并且所述多个半导体发光元件中的相邻的两个所述半导体发光元件之间的第1区域内所述波长转换层的上表面与所述基板之间的第1距离，短于所述半导体发光元件上的第2区域内所述波长转换层的所述上表面与所述基板之间的第2距离。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县横须贺市船越町1丁目201番1 | ||