发明名称 存储器装置及其操作方法
摘要 本发明公开了一种存储器装置及其操作方法。储存数据以及ECCs的非易失性存储器阵列包括错误校正逻辑;读取数据集通过执行迭代读取偏压而感测数据、在所感测数据中产生错误指示等的迭代;第一迭代使用第一读取偏压;如果在当前迭代中的指示小于一临界值,则输出在当前迭代中被选择的存储单元所感测的数据迭代;如果在当前迭代中的指示大于一临界值时,则使用移动读取偏压以再进行另一次迭代,然而相关于在一前次迭代,当前迭代的指示表现出错误增加时,在这种情况下,则输出先前迭代的所感测数据。双缓冲逻辑可有反向移动功能,可储存所二次迭代感测数据。
申请公布号 CN104051020A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201310242984.X 申请日期 2013.06.18
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 薛文凤;林明昭
分类号 G11C29/02(2006.01)I;G11C29/42(2006.01)I;G11C29/52(2006.01)I 主分类号 G11C29/02(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 任岩
主权项 一种操作一存储器的方法,包括:通过执行迭代而从该存储器读取一数据集,所述迭代包括使用一读取偏压而感测在所选择存储单元中的数据,及在所感测数据中产生一错误指示,而在所述迭代中的一第一迭代使用一第一读取偏压;然后如果在该第一迭代中的该指示小于一临界值,则从迭代所述所选择存储单元中输出在该第一迭代中所感测的该数据;以及如果在该第一迭代中的该指示超过该临界值,则移动该读取偏压并执行一第二迭代,又如果在该第二迭代中的该指示小于该临界值,则从所述所选择存储单元中输出在该第二迭代中所感测的该数据;如果相对于该第一迭代,在该第二迭代中的该指示展示一错误增加,则从所述所选择存储单元中输出在该第一迭代中所感测的数据。
地址 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号