发明名称 具有沟槽式填料栅格的图像传感器
摘要 除了其他方面,本发明提供了一种或多种图像传感器以及用于形成这样的图像传感器的方法。图像传感器包括被配置以检测光的光电二极管阵列。填充栅格形成在光电二极管阵列上方,诸如介电栅格上方。填充栅格包括一个或多个填充结构,诸如提供到达第一光电二极管的光传播路径的第一填充结构,该光传播路径主要经过第一填充结构。这样,减轻了第一光电二极管检测之前沿光传播路径的光的信号强度的衰减。图像传感器包括将光引导向对应的光电二极管的反射层。例如,第一反射层部分将光引导向第一光电二极管并且远离第二光电二极管。这样,减轻了通过不适当的光电二极管检测光产生的串扰。本发明还公开了具有沟槽式填料栅格的图像传感器。
申请公布号 CN104051476A 申请公布日期 2014.09.17
申请号 CN201310351553.7 申请日期 2013.08.13
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 谢丰键;黄仕强;简荣亮;刘哲儒;王骏颖;郑志成;陈信吉
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人 章社杲;孙征
主权项 一种图像传感器,包括:光电二极管阵列,形成在衬底上方;介电栅格,形成在所述光电二极管阵列上方;以及填充栅格,形成在所述介电栅格之间,所述填充栅格包括形成在所述光电二极管阵列的第一光电二极管上方的第一填充结构,所述第一填充结构基本上形成在所述介电栅格的顶面和所述第一光电二极管之间。
地址 中国台湾新竹