| 发明名称 | 埋入式电阻 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种埋入式电阻，其包含有一第一层间介电层、一盖层、一电阻层以及一盖膜。第一层间介电层位于一基底上。盖层位于第一层间介电层上，其中盖层具有一沟槽。电阻层顺应覆盖沟槽，因而具有一U型的剖面结构。盖膜位于沟槽中以及电阻层上；或者，一种埋入式电阻，包含有一第一层间介电层、一盖层以及一块状电阻层。第一层间介电层位于一基底上。盖层位于第一层间介电层上，其中盖层具有一沟槽。块状电阻层位于沟槽中。 | ||
| 申请公布号 | CN104051614A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310082552.7 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪庆文;黄志森;曹博昭 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种埋入式电阻，包含有：第一层间介电层，位于一基底上；盖层，位于该第一层间介电层上，其中该盖层具有一沟槽；电阻层，顺应覆盖该沟槽，因而具有一U型的剖面结构；以及盖膜，位于该沟槽中以及该电阻层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||