| 发明名称 | 形成高电子迁移率半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及形成高电子迁移率半导体器件的方法。在实施例中，通过包含提供第一半导体材料的基础基板，以及在基础基板上形成SiC或者III-V系材料之一的层的方法，形成半导体器件。在不同实施例中，基础基板可以是硅，多孔硅，或者其上形成有成核位点的多孔硅，或者在(111)面中的硅。 | ||
| 申请公布号 | CN104051236A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201410095340.7 | 申请日期 | 2014.03.14 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | A·萨利赫;小J·M·帕西 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种形成高电子迁移率HEM器件的方法，包括：提供包含硅的第一半导体材料的基础基板；覆在所述基础基板上形成GaN或者SiC或者其他III‑N或者III‑V或者II‑VI系材料之一的层；在所述层与下层材料的界面附近形成脆性区域；从所述基础基板分离所述层的一部分；将所述层的所述一部分附接至中间基板；以及在所述层的所述一部分中形成所述HEM器件。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||