同轴型非接触式3D-MCM垂直互连方法

摘要

本发明提出一种同轴型非接触式3D-MCM的垂直互连方法，以同轴线1作为输入口，同轴线（1）的内芯（7）垂直穿过空气介质孔（9）和第一介质基板（4）的过孔（12）与第一耦合电容片（14）相连接，并且同轴线的内芯暴露在空气介质孔（9）中；第一介质基板，B面上的第一耦合电容片和第二介质基板（5），C面上的第二耦合电容片（20）分别螺旋环绕高阻微带线（15、21），并且高阻微带线（15、21）分别接地；第一介质基板，B面上的第一耦合电容片和第二介质基板，C面上的第二耦合电容片通过电磁耦合，信号传输到带有阻抗变化的微带线（22）上，经过阻抗变化后最后传输到微带传输线输出口（2），实现同轴线到微带线的垂直过渡。

主权项

一种同轴型非接触式3D‑MCM的垂直互连方法，其特征在于包括如下步骤：在上模块（3）上制出一个台阶孔（8）作为同轴线（1）的输入口，同轴线（1）的内芯（7）垂直穿过空气介质孔（9）和第一介质基板（4）的过孔（12）与第一耦合电容片（14）相连接；在第一介质基板（4）B面上的第一耦合电容片（14）和第二介质基板（5）C面上的第二耦合电容片（20）分别对应无地区域（13、24），并在电容片周围布局接地孔；第一耦合电容片（14）和第二耦合电容片（20）通过电磁耦合，将信号传输到带有阻抗变化的微带传输线（22）上，经过阻抗变化后最后传输到微带传输线输出端口（2），实现同轴线到微带线的垂直过渡；然后在上模块（3）与下模块（6）之间设置屏蔽电磁耦合区域的屏蔽板（17），把屏蔽板（17）镂空圆弧过渡开口（18）的镂空部分作为两耦合电容片的耦合区域，并让出带有阻抗变化的微带传输线（22）和微带传输线输出端口（2）的路由位置；当上模块（3）、屏蔽板（17）和下模块（6）三者合一时，通过第一接地孔（11）、第二接地孔（19）和屏蔽板（17）部分形成共地，构成叠层型3D‑MCM结构。