| 发明名称 | 一种半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极；在所述虚拟栅极的侧壁上形成第一偏移侧壁和第二偏移侧壁；去除所述虚拟栅极；去除所述第一偏移侧壁，形成关键尺寸增大的凹槽。在本发明中在形成虚拟栅极之后，在虚拟栅极上形成热处理氧化物层、第一偏移侧壁以及第二偏移侧壁，其中在执行完LDD以及源漏离子注入后，去除所述热处理氧化物层、所述第一偏移侧壁，形成凹槽，所述凹槽的关键尺寸即为所述金属栅极的关键尺寸，所述金属栅极的关键尺寸相比常规金属栅极的关键尺寸更大，而且所述源漏离子注入之后形成，在获得较大的关键尺寸的同时，能好的避免了遮蔽效应(SHADOW-EFFECT)，提高了器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN104051245A | 申请公布日期 | 2014.09.17 |
| 申请号 | CN201310077046.9 | 申请日期 | 2013.03.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 赵杰 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成虚拟栅极；在所述虚拟栅极的侧壁上形成第一偏移侧壁和第二偏移侧壁；去除所述虚拟栅极；去除所述第一偏移侧壁，形成关键尺寸增大的凹槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||