具有侧壁接触侧电极的存储单元

摘要

本发明涉及存储器技术领域，公开了一种存储单元，包括存储单元存取层，及位于该存储单元存取层之上的存储单元层。存储单元存取层包括底电极。存储单元层包括介电层与侧电极并至少有部分定义出开口，存储元件位于开口之内。存储元件包括存储材料通过施加的能量转换电特性状态。存储元件与侧电极及底电极电性连接。在一些例子中存储元件具有柱状外型，其横向宽度维持定值，且侧电极与介电层环绕并接触存储元件的第一区及第二区。

主权项

一种存储单元，其特征在于，该存储单元包括：一存储单元存取层，包括一底电极；位于该存储单元存取层之上的一存储单元层，该存储单元层包括：一介电层；位于该介电层之上的一侧电极；该侧电极与该介电层至少有部分定义出一开口；及一存储元件位于该开口之内，该存储元件包括一存储材料，该存储材料具有通过施加的能量以转换电特性的状态，该存储元件与该侧电极及该底电极电性连接；其中，该介电层至少部分地环绕并接触该存储元件的一第二区，该存储元件的第二区包括一相变化材料，该存储元件在该第二区内具有一相变化区块；以及一电传导缓冲层，采用的材料是氮化钛(TiN)、氮化铝钽(TaAlN)、氮化铝钨(WalN)或氮化铝钛(TiAlN)，该电传导缓冲层沉积于该存储单元层的上表面，用以增加该存储元件与一位线层之间的接触；其中，该侧电极通过该电传导缓冲层连接于该位线层，该侧电极、该电传导缓冲层及该位线层是直接的电性接触，具有相同的电位。