生产多晶硅棒的方法

摘要

本发明涉及一种通过在反应器中在至少一个薄棒上沉积硅来生产多晶硅的方法，其中，在硅沉积之前，在400-1000℃的薄棒温度下将卤化氢通入到含有至少一个薄棒的反应器中，并通过UV光辐射，从而产生卤素和氢自由基，以及从反应器中去除形成的挥发性卤化物。

主权项

一种通过在反应器中在至少一个薄棒上沉积硅生产多晶硅的方法，其中，在硅沉积之前，在400‑1000℃的薄棒温度下将卤化氢通入到含有至少一个薄棒的反应器中，并通过UV光进行辐射，从而产生卤素和氢自由基，以及从所述反应器中去除形成的挥发性卤化物和氢化物；在去除挥发性卤化物和氢化物之后，将硅沉积在所述至少一个薄棒上。