| 摘要 |
【课题】本发明系以提升做为接着薄膜或保护膜之前体而作用之树脂膜形成层或是其硬化后的树脂膜，与被附体之半导体晶片、半导体晶圆之接着性为目的。【解决手段】与本发明有关之具有硬化性树脂膜形成层的板片，其特征在于：系具有支持板片、与在该支持板片上可剥离地形成之硬化性树脂膜形成层，该硬化性树脂膜形成层，系含有硬化性黏结剂成分及矽烷耦合剂(C)，且在硬化性树脂膜形成层之硬化后的树脂膜，在树脂膜之至少1表面上之来自矽烷耦合剂(C)之表面矽元素浓度(X)，为从该表面之深度方向40~60nm、60~80nm、80~100nm之分别的深度范围之至少各1点，合计3点以上所测定之来自矽烷耦合剂(C)之内部矽元素浓度(Y)平均值之3.4倍以上。 |
