半导体基板洗净系统及半导体基板的洗净方法;SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CLEANING SYSTEM AND CLEANING METHOD OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

摘要

本发明的半导体基板的洗净方法是自具有以Si作为构成成分的层的半导体基板上除去铂及/或铂合金,该半导体基板的洗净方法能有效地对Al或矽化物膜、Si系绝缘膜、Si系基板等进行洗净而不会造成损伤。该半导体基板的洗净方法为自具有以Si作为构成成分的层的半导体基板上除去铂及/或铂合金;该半导体基板的洗净方法包括:第1洗净步骤,使包含以硝酸及/或过氧化氢作为主要溶质的第1溶液与上述半导体基板接触而洗净;及第2洗净步骤,使含有包含氧化剂的硫酸溶液及卤化物且温度为25℃~100℃的第2溶液与经过第1洗净步骤的上述半导体基板接触而洗净。