电阻式随机存取记忆体结构及其制造方法;RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RRAM) STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

摘要

本发明提供一种电阻式随机存取记忆体结构及其制造方法。上述电阻式随机存取记忆体结构包括一电阻式元件,形成于一半导体基板上,且设计用于储存资料;以及一场效电晶体,形成于上述半导体基板上,且耦合至上述电阻式元件。上述场效电晶体包括不对称的一源极和一汲极。上述电阻式元件包括一电阻材料层,且更包括一第一电极和一第二电极,藉由上述电阻材料层隔开。