用于形成窄垂直柱之方法及具有窄垂直柱之积体电路装置;METHOD FOR FORMING NARROW VERTICAL PILLARS AND INTEGRATED CIRCUIT DEVICES HAVING THE SAME

摘要

在某些实施例中,一种积体电路包含填充形成于该积体电路中之开口之窄垂直延伸柱。在某些实施例中,该等开口可含有用以形成一相变记忆体单元之相变材料。可使用例如间隔物的在不同垂直层级上形成之交叉牺牲材料线界定由该等柱占据之该等开口。该等材料线可由允许形成极细线之沈积程序形成。选择性地移除该等线之交叉点处所曝露之材料以形成该等开口,该等开口具有由该等线之宽度判定之尺寸。举例而言,该等开口可填充有相变材料。