| 发明名称 | 电阻式记忆体装置与其制造方法;RESISTIVE RAM AND FABRICATION METHOD | ||
| 摘要 | 一种电阻式记忆体装置结构与其制造方法,制造方法包括以下步骤。提供一底电极,底电极包括一金属。形成一记忆层于底电极上。记忆层包括一第一层与一第二层,第一层包括金属氧化物,第二层包括含氮的金属氧化物。形成一顶电极于记忆层上。 | ||
| 申请公布号 | TW201436317 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
| 申请号 | TW102130563 | 申请日期 | 2013.08.27 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈怡月;简维志 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>祁明辉</name><name>林素华</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号 | ||