半导体发光元件中Ｐ触点电阻之控制;CONTROL OF P-CONTACT RESISTANCE IN A SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

摘要

根据本发明之实施例,一种元件包含一半导体结构,该半导体结构包含安置于一n型区域与一p型区域之间的一发光层。垂直于该半导体结构之一生长方向之该p型区域之一表面包含一第一部分及一第二部分。该第一部分之导电率低于该第二部分之导电率。该元件进一步包含形成于该p型区域上之一p触点。该p触点包含一反射体及一阻挡材料。该阻挡材料安置于该第一部分上方且无阻挡材料安置于该第二部分上方。