具有组成分层半导体通道的非平面三族氮化物电晶体;NONPLANAR III-N TRANSISTORS WITH COMPOSITIONALLY GRADED SEMICONDUCTOR CHANNELS

摘要

三族氮化物半导体通道系组成分层于转换层与三族氮化物极化层之间。在实施例中,闸极堆叠系沈积在包含分层之三族氮化物半导体通道的鳍之侧壁上,而允许邻接至少两面侧壁表面的三族氮化物半导体通道中之传输通道的形成,以回应闸极偏压。在实施例中,闸极堆叠系完全沈积在包含组成分层之三族氮化物半导体通道的奈米布线之周围,而致能邻接极化层及转换层二者的三族氮化物半导体通道中之传输通道的形成以回应闸极偏压。