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发明名称
小尺寸共振穿隧场效电晶体;REDUCED SCALE RESONANT TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
一种实施方式包含异质接面穿隧场效电晶体包含源极、通道及汲极;其中(a)通道包含主要轴,对应于通道长度,及次要轴,对应于通道宽度且正交于主要轴;(b)通道长度小于10nm长;(c)源极掺杂有第一极性且具有第一导带;(d)汲极掺杂有第二极性,其系与第一极性相反,且汲极具有能阶高于第一导带的第二导带。其它实施方式叙述于此。
申请公布号
TW201436226
申请公布日期
2014.09.16
申请号
TW102145594
申请日期
2013.12.11
申请人
英特尔股份有限公司
发明人
艾维可 尤嘉;尼可诺夫 狄米崔;杨 艾恩
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
<name>林志刚</name>
主权项
地址
INTEL CORPORATION 美国
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