用于ＣＭＯＳ架构的穿隧式场效电晶体（ＴＦＥＴ）以及制造Ｎ型与Ｐ型ＴＦＥＴ的方式;TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTORS (TFETS) FOR CMOS ARCHITECTURES AND APPROACHES TO FABRICATING N-TYPE AND P-TYPE TFETS

摘要

本发明说明了用于CMOS架构的穿隧式场效电晶体(TFET)以及制造N型及P型TFET的方式。例如,一穿隧式场效电晶体(TFET)包含被配置在一基材之上的一同质接面主动区。该同质接面主动区包含其中有一未掺杂通道区之一松弛锗或锗锡合金基体。该同质接面主动区也包含被配置在该通道区的两侧上的该松弛锗或锗锡合金基体中之掺杂源极及汲极区。该TFET也包含被配置在该源极及汲极区之间的该通道区上之一闸极堆叠。该闸极堆叠包含一闸极介电质部分及闸极部分。