发明名称 | 半导体结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | ||
摘要 | 一种具有一高电压区及一低电压区之半导体结构包括:一基板,其为一第一导电类型,容纳该高电压区及该低电压区。一电阻,位于该基板上,连接该高电压区及该低电压区,且该电阻实质上驻留于该高电压区中。该结构进一步包括:一第一掺杂区域,其为该第一导电类型,位于该基板中,处于该高电压区与该低电压区之间;及一第二掺杂区域,其为一第二导电类型,处于该基板与该第一掺杂区域之间。此外,一绝缘层形成于该电阻与该第一掺杂区域之间。 | ||
申请公布号 | TW201436169 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
申请号 | TW102119133 | 申请日期 | 2013.05.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林鎭元;詹景琳;林正基;连士进 |
分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name> | |
主权项 | |||
地址 | MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |