发明名称 半导体结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
摘要 一种具有一高电压区及一低电压区之半导体结构包括:一基板,其为一第一导电类型,容纳该高电压区及该低电压区。一电阻,位于该基板上,连接该高电压区及该低电压区,且该电阻实质上驻留于该高电压区中。该结构进一步包括:一第一掺杂区域,其为该第一导电类型,位于该基板中,处于该高电压区与该低电压区之间;及一第二掺杂区域,其为一第二导电类型,处于该基板与该第一掺杂区域之间。此外,一绝缘层形成于该电阻与该第一掺杂区域之间。
申请公布号 TW201436169 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102119133 申请日期 2013.05.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 林鎭元;詹景琳;林正基;连士进
分类号 H01L27/04(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 <name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name>
主权项
地址 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行路16号