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发明名称
具磁性遮蔽的自对准双图案化技术改进;SELF ALIGNED DUAL PATTERNING TECHNIQUE ENHANCEMENT WITH MAGNETIC SHIELDING
摘要
本发明的实施例大体上提供藉由减少外部磁杂讯以改善处理均匀性的设备和方法。本发明的一实施例提供用于处理半导体基板的设备。设备包括腔室主体,腔室主体定义真空容积,用以处理内含的一或更多基板,及遮蔽组件,用以遮蔽磁通量而保护腔室主体,遮蔽组件设在腔室主体外,其中遮蔽组件包含底板,底板置于腔室主体与地面之间,以遮蔽来自地球的磁通量。
申请公布号
TW201436081
申请公布日期
2014.09.16
申请号
TW103100390
申请日期
2014.01.06
申请人
应用材料股份有限公司
发明人
金宏善;金尙煜;可罕阿尼舒尔H
分类号
H01L21/67(2006.01);H05K9/00(2006.01)
主分类号
H01L21/67(2006.01)
代理机构
代理人
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name>
主权项
地址
APPLIED MATERIALS, INC. 美国
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