半导体装置之制造方法及半导体装置;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明系一种半导体装置之制造方法及半导体装置,其课题为在形成非挥发性记忆体及MOSFET于同一半导体基板上之情况中,防止闸极电极中之晶粒尺寸变大,而使半导体装置之信赖性提升。解决手段为将非挥发性记忆体之控制器闸极电极(CG),及其他的MOSFET之闸极电极(G2~G4),使用同层的膜而形成,更且经由至少2层之多晶矽膜(P1,P2)所成之层积膜而构成控制器闸极电极(CG)及闸极电极(G2~G4)。