| 发明名称 |
具有底切之半导体带及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRIPS WITH UNDERCUTS AND METHODS FOR FORMING THE SAME |
| 摘要 |
一积体电路装置包括一半导体基板,及一半导体带延伸至该半导体基板中。一第一及一第二介电区域位于该半导体带相对的二侧,且与该半导体带连接。每一该第一介电区域及该第二介电区域包括一第一部分与该半导体带高度齐平,以及一第二部分低于该半导体带。该第二部分更包括一部分与该半导体带重叠。 |
| 申请公布号 |
TW201436217 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102135538 |
申请日期 |
2013.10.01 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
黄泰钧;彭治棠;张家维;游明华;连浩明;陈昭成;李资良 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
