用于超高电压半导体装置制造及程序监控的图形;PATTERN FOR ULTRA-HIGH VOLTAGE SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING AND PROCESS MONITORING

摘要

本发明提供一种用于制作半导体装置的图形,依照一范例实施例,其可以包括至少一第二场区,包括一主晶粒阵列,每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1,且该主阵列具有一高度Y3。依照范例实施例,该图形更可包括至少一第一场区,包括具有一高度Y2及一宽度X2之一监视区,以及具有一高度Y2且包括一辅助晶粒阵列之一辅助晶粒区。各区的尺寸可互相成比例,使得X2=n1X1+adjustment 1、Y2=n3Y1+adjustment3以及Y3=n4Y2+adjustment4,其中n1、n3、与n4为整数。