背面射入型能量线检测元件

摘要

背面射入型能量线检测元件1具备半导体基板11、及保护膜21。半导体基板11具有作为能量线射入面之第一主面11a、及与第一主面11a对向之第二主面11b,根据能量线之射入而产生电荷之电荷产生区域13系设置于第二主面11b侧。保护膜21以至少覆盖电荷产生区域13之方式,设置于半导体基板11之第二主面11b侧,且含有氮化矽或氮氧化矽。保护膜21具有缓和于保护膜21产生之应力之应力缓和部。