| 发明名称 | 制作半导体元件的方法;METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES | ||
| 摘要 | 一种制作半导体元件的方法,其步骤包含:提供一基底,该基底包含第一型半导体元件区域以及第二型半导体元件区域、在该基底上共形地形成一第一磊晶遮罩层、在该第一型半导体元件区域的基底中形成一第一型磊晶层、在该基底上共形地形成一第二磊晶遮罩层、在该第二型半导体元件区域的基底中形成第二型磊晶层、以及移除该第二磊晶遮罩层。 | ||
| 申请公布号 | TW201436049 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
| 申请号 | TW102109083 | 申请日期 | 2013.03.14 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 洪裕祥;张仲甫;刘家荣;吴彦良;周佩玉;郑宏本 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||