半导体装置及使用其之电力转换装置;SILICON POWER DEVICE AND POWER CONVERSION EQUIPMENT PROVIDED WITH THE SAME

摘要

半导体装置具备:选择性形成于n-基板(1)的其中一个主表面之p型基极层(2);形成于p型基极层的表面之n型源极层(3);在n-基板(1)的另一个主表面互相分离而设之p型高浓度射极层(7)及p型低浓度射极层(8);电性连接于p型基极层(2)及n型源极层(3)之射极电极;在被n-基板(1)与n型源极层(3)夹住之p型基极层(2)的表面隔着闸极氧化膜(5)而设之闸极电极(6);以及分别个别地电性连接于p型高浓度射极层(7)与p型低浓度射极层(8)的集极电极。