| 发明名称 |
制备具有经径向膨胀而得之减低之应变之异质结构的方法及装置;PROCESSES AND APPARATUS FOR PREPARING HETEROSTRUCTURES WITH REDUCED STRAIN BY RADIAL DISTENSION |
| 摘要 |
本发明揭示制备具有减低之应变之异质结构之装置及方法。该等异质结构可包括半导体结构,该半导体结构依形于晶格常数不同于该结构之表面层,以形成相对较低缺陷异质结构。 |
| 申请公布号 |
TW201436198 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102149287 |
申请日期 |
2013.12.31 |
| 申请人 |
ＭＥＭＣ电子材料公司 |
发明人 |
法斯特 罗伯特Ｊ;瓦诺库夫 瓦帝莫尔Ｖ;皮特尼 约翰Ａ;亚伯查特 彼得Ｄ |
| 分类号 |
H01L29/02(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. 美国 |
