互连结构及方法;INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD

摘要

本发明提供一种半导体装置,该半导体装置包含:第一半导体晶片,包括第一基板及形成于第一基板上之复数个第一金属接线;及第二半导体晶片,接合于第一半导体晶片上,其中第二半导体晶片包含第二基板及形成于第二基板上之复数个第二金属接线。半导体装置进一步包含耦接在第一金属接线与第二金属接线之间的导电插塞,其中该导电插塞包含形成于硬遮罩层之第一侧上的第一部分及形成于硬遮罩层之第二侧上的第二部分,其中该第一部分具有第一宽度,其中该第二部分具有第二宽度,该第二宽度大于或等于该第一宽度。