发明名称 |
半导体结构及其制造方法;SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
摘要 |
一种半导体结构包含晶片、至少一非金属氧化层、焊垫、保护层、绝缘层与导电层。晶片具有彼此平行的第一、第二与第三表面,及第一与第二段差面。第一段差面连接于第二与第三表面之间,第二段差面连接于第一与第三表面之间。非金属氧化层位于晶片之第一表面上。焊垫位于非金属氧化层上,且电性连接晶片。保护层位于非金属氧化层上。绝缘层位于保护层、非金属氧化层、晶片之第一表面、第二表面、第三表面、第一段差面与第二段差面上。导电层位于绝缘层上,且电性接触焊垫。 |
申请公布号 |
TW201436141 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
申请号 |
TW103107019 |
申请日期 |
2014.03.03 |
申请人 |
精材科技股份有限公司 |
发明人 |
蔡永泰;张恕铭;张峻维;陈键辉;刘沧宇;何彦仕 |
分类号 |
H01L23/48(2006.01);H01L23/12(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/48(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>蔡坤财</name><name>李世章</name> |
主权项 |
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地址 |
XINTEX INC. 桃园县中坜市中坜工业区吉林路23号9楼 |