具有后钝化互连结构之半导体元件及形成具有后钝化互连结构之半导体元件之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE WITH POST-PASSIVATION INTERCONNECT STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

本发明提供一种半导体元件,包括:保护层,上覆于半导体基板上之接触垫及虚设垫;互连结构,上覆于保护层且经由通过保护层之接触穿孔接触部分的虚设垫;凸块,上覆于设置在虚设垫上方的互连结构。