发明名称 半导体记忆装置
摘要 本发明之目的在于提供一种可将控制器所产生之热有效地放热之半导体记忆装置。本发明之实施形态之半导体记忆装置包含半导体记忆体、及配置于半导体记忆体上且控制半导体记忆体之控制器。
申请公布号 TW201436129 申请公布日期 2014.09.16
申请号 TW102126727 申请日期 2013.07.25
申请人 东芝股份有限公司 发明人 青木秀夫;松浦永悟
分类号 H01L23/34(2006.01);H01L27/105(2006.01) 主分类号 H01L23/34(2006.01)
代理机构 代理人 <name>陈长文</name>
主权项
地址 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA 日本