发明名称 |
用于三维装置的镶嵌式导体;DAMASCENE CONDUCTOR FOR A 3D DEVICE |
摘要 |
一种能够形成具有垂直侧壁的导体的方法。该方法系沉积一内衬在复数个间隔开的主动层堆叠之上。一绝缘材料形成于内衬之上、复数个间隔开的堆叠之上和之间。绝缘材料内的复数个沟槽交错排列在复数个间隔开的主动条堆叠之上,在主动条堆叠之间的沟槽底部和间隔开的主动条堆叠的一侧壁之上留下内衬的至少一残余物。选择性地移除沟槽底部和间隔开的主动条堆叠的侧壁上的内衬残余物。然后以导体或半导体材料填充复数个沟槽以形成镶嵌结构。 |
申请公布号 |
TW201436108 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
申请号 |
TW102126950 |
申请日期 |
2013.07.26 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
邱家荣;李冠儒 |
分类号 |
H01L21/8239(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>祁明辉</name><name>林素华</name> |
主权项 |
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地址 |
MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 新竹县科学工业园区力行路16号 |