| 发明名称 |
积体电路及其制作方法;INTEGRATED CIRCUIT AND FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
一种积体电路之制作方法,包括:提供一基底,具有一第一元件区、一第二元件区和一第三元件区;形成一第一界面层于至少各第一元件区、第二元件区和第三元件区之一部分上方;图案化第一界面层,其中第一界面层之图案化于第三元件区中定义一闸极堆叠;形成一第二界面层于至少第二元件区之一部分上方;图案化第二界面层,其中第二界面层之图案化于第二元件区中定义一闸极堆叠;及形成一第三界面层于至少第一元件区之一部分上方,其中第三界面层之形成于第一元件区中定义一闸极堆叠。 |
| 申请公布号 |
TW201436050 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102147883 |
申请日期 |
2013.12.24 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈柏年;黄昱方;谢奇勋;吴伟成;杨宝如;庄 学理 |
| 分类号 |
H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
