| 发明名称 |
清洗氧化层的方法;METHOD FOR CLEAN OF OXIDE LAYER |
| 摘要 |
本发明之一实施例揭露一种清洗氧化层的方法,其包括在半导体基底上形成由半导体材料所构成的磊晶层,在磊晶层上形成氧化层,且将含有氧化剂的溶液施加于氧化层上,并透过清洗液清洗氧化层。在另一实施例中,对氧化层进行致密化制程,其包括透过热能、紫外线能量或其组合对氧化层进行处理。在环绕式闸极装置的实施例中,对位于鳍式结构的磊晶部份上的氧化层进行清洗制程。本发明亦揭露其他的方法。 |
| 申请公布号 |
TW201436027 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW103101927 |
申请日期 |
2014.01.20 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
吴丽岚;陈继元;刘铭棋;骆家駉;蔡腾群;林正堂;林国楹;王立廷;潘婉君;颜名良;张惠政 |
| 分类号 |
H01L21/306(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
