| 发明名称 | 形成金属矽化物层的方法;METHOD OF FORMING METAL SILICIDE LAYER | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成金属矽化物层的方法,其步骤如下。首先,形成至少一闸极结构、至少一源极/汲极区以及一第一介电层于一基底上,其中闸极结构与第一介电层切齐。接着,形成一盖层覆盖闸极结构,且盖层未重叠第一介电层以及源极/汲极区。随后,去除第一介电层以暴露源极/汲极区,且形成一金属矽化物层完整覆盖源极/汲极区。 | ||
| 申请公布号 | TW201435995 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
| 申请号 | TW102109319 | 申请日期 | 2013.03.15 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 曹博昭;林建廷 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||