具有漏电流消除之单次可程式化唯读记忆体阵列用于增强之电熔线感测;OTPROM ARRAY WITH LEAKAGE CURRENT CANCELATION FOR ENHANCED EFUSE SENSING

摘要

本文揭示数种记忆格阵列以及用以操作记忆格阵列的方法。在一个具体实施例中,记忆格阵列包含复数个位元格、第一位元线、第二位元线、第一字元线、及第二字元线。该等位元格排列成列及行且各个包含第一电晶体、第二电晶体以及具有第一端及第二端的熔线。该第二电晶体可选择性地操作以使该熔线之第一端耦合至接地。该第一位元线耦合至一行中之该等位元格之每一者的该第一电晶体。该第二位元线系耦合至该行之该等位元格之每一者之该熔线的第二端。该行中之该等位元格之每一者的该第一电晶体可选择性地操作以使该熔线的第一端耦合至该第一位元线。