| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在一实施例中,一种半导体装置包括:第一半导体鳍,延伸于基底上;第一源极区,设于第一半导体鳍上,第一源极区具有第一宽度;及第一汲极区,设于第一半导体鳍上,第一汲极区具有第二宽度,第二宽度与第一宽度不同。 |
| 申请公布号 |
TW201436233 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW103100029 |
申请日期 |
2014.01.02 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
曾祥仁;江庭玮;陈威宇;杨国男;宋明相;郭大鹏 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
