| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME |
| 摘要 |
本发明揭露一种半导体装置,包括一第一闸极结构,位于一半导体基底上。一第一蚀刻终止层位于半导体基底及第一闸极结构上,且第一蚀刻终止层具有曲形的一上表面。一第一内层介电层位于第一蚀刻终止层上,且第一内层介电层具有曲形的一上表面。半导体装置更包括一第二蚀刻终止层,位于第一内层介电层上,且第二蚀刻终止层具有曲形的一上表面。一第二内层介电层位于第二蚀刻终止层上。 |
| 申请公布号 |
TW201436230 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102148626 |
申请日期 |
2013.12.27 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
李东颖;黄玉莲 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
