发明名称 | 增强型场效电晶体;ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | ||
摘要 | 一种增强型场效电晶体,包括一基板、位于基板上方的一缓冲层、位于缓冲层上方的一第一半导体层、位于第一半导体层上方的第二半导体层以及位于第二半导体层上方的一p+三五族半导体层。所述增强型场效电晶体还包括一反极化层,位于第二半导体层与p+三五族半导体层之间。这层反极化层能拉升第一半导体层与第二半导体层之间的导带(Ec)。 | ||
申请公布号 | TW201436208 | 申请公布日期 | 2014.09.16 |
申请号 | TW102109081 | 申请日期 | 2013.03.14 |
申请人 | 广镓光电股份有限公司 | 发明人 | 林恒光;童建凯 |
分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/04(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | HUGA OPTOTECH INC. 台中市大雅区中部科学工业园区科雅路22号 |