| 摘要 |
在一双极性电晶体中,在基极表面区上方于射极与集极之间形成较佳地小于600之一薄闸极氧化物。接着,在该闸极氧化物上方形成诸如经掺杂多晶矽之一导电闸极并将其施偏压于射极电压处。在一PNP电晶体之实例中,当相对于基极正向施偏压于该射极以接通该电晶体时,该闸极相对于该基极处于正电位。此致使该基极中传导射极-集极电流之电洞被排斥而远离表面且该基极中之电子被吸引至该表面,使得该射极-集极电流中之较多电流较深地流动至该基极中。因此,减轻该基极表面处之缺陷之效应,且减少1/f杂讯。本发明同样适用于PNP及NPN电晶体。亦产生其他益处。 |
