接触结构以及采用该接触结构的半导体记忆元件;CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE SAME

摘要

本发明披露一种半导体记忆元件,包含有一基材,其上包含一记忆阵列区域以及一周边电路区域;一第一介电层,覆盖该记忆阵列区域以及该周边电路区域;一第二介电层,位于该第一介电层上,覆盖该记忆阵列区域以及该周边电路区域;至少一电容结构,位于该记忆阵列区域内,且该电容结构包含一电极材料层,埋设在该第二介电层中;以及一接触结构,包含该电极材料层。