形成含氮氧化物层及含氮高介电常数层的方法、以及包含其之半导体装置;METHOD FOR FORMING A NITROGEN-CONTAINING OXIDE FILM AND A NITROGEN-CONTAINING HIGH DIELECTRIC CONSTANT FILM, AND A SEMICONDUCTOR DEVICE EMPLOYING THE SAME

摘要

本发明提供一种形成含氮氧化物层的方法,包含:(a)将一基材暴露于一第一气体脉冲,其中该第一气体脉冲具有一含氧之气体以及一含金属之气体其中之一者;(b)将该基材暴露于一第二气体脉冲以形一氧化层于该基材之上,其中该第二气体脉冲具有该含氧之气体以及该含金属之气体其中另一者;以及,(c)将该氧化层暴露于一第三气体脉冲,其中该第三气体脉冲具有一含氮之电浆以形成一含氮之氧化物层,其中该含氮之氧化物层具有一氮原子浓度介于约0.1-3原子百分比(atom%)。