| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种互补式金氧半(CMOS)装置及其形成方法。互补式金氧半装置可包括形成自III-V族材料的N型通道区,以及形成自锗材料的P型通道区。于每一个通道上可形成对应的闸极与源极/汲极区。源极/汲极区可形成自锗材料及一或多层金属层。可实施退火步骤以形成用于源极/汲极区的欧姆接点(ohmic contact)。可于覆盖上述装置的介电层内形成开口,且可形成导电插塞以提供源极/汲极区的电性接触。 |
| 申请公布号 |
TW201436232 |
申请公布日期 |
2014.09.16 |
| 申请号 |
TW102148959 |
申请日期 |
2013.12.30 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
王立廷;蔡腾群;林群雄;林正堂;陈继元;林国楹;潘婉君;颜名良;张惠政 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
