半导体装置及其制作方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

摘要

一种制作半导体装置的方法,包括下列步骤。首先,提供一半导体基底,其中一金属闸极结构以及一第一介电层系设置于半导体基底上,且金属闸极结构之一顶面与第一介电层之一顶面切齐。接着,形成一图案化遮罩于金属闸极结构上,且图案化遮罩未重叠该第一介电层。随后,全面性形成一第二介电层于半导体基底上,且第二介电层覆盖图案化遮罩,接下来,移除部分第二介电层与第一介电层以形成至少一接触洞。